3月21日，中国多晶硅巨头保利协鑫(GCL)在上海Asiasolar2012第七届亚洲太阳能光伏展上，发布了最新的高效多晶硅片--“鑫多晶S1+”。发布会现场，保利协鑫首席技术官戴冰博士作了“智启鑫光--GCL科技创新之旅”的报告。《光伏产业观察》、太阳能光伏网、艾莱光伏网等多家知名光伏媒体对此次发布会进行了报道。

         

　　据保利协鑫相关负责人介绍，这款新的硅片产品，采用了其自产的电子级多晶硅料，并对铸锭炉的热场进行独创的设计，新硅片的微观结构进行了优化，其位错、层错、晶界等晶体缺陷也获得更精确的控制。相比于此前的多晶硅片，“鑫多晶S1+”拥有更低的碳、氧及金属杂质浓度、更长的少子寿命，更加均匀的掺杂分布。[page]
         

　　保利协鑫表示，在利用普通电池片技术的情况下，采用“鑫多晶S1+”硅片的组件(60片156×156mm)能超过270瓦，相比之下采用此前发布的“鑫单晶”硅片的鑫单晶组件(60片156×156mm)可以达到285瓦。
         

　　此次推出的“鑫多晶S1+”是继保利协鑫于2011年10月份在台湾推出“鑫单晶”后的新高效产品后，保利协鑫的硅片产品开始全面转向高效路线。