艾莱光伏网讯：11月26日至28日，第十一届中国太阳级硅及光伏发电研讨会（CSPV）在浙江杭州隆重举行。会议由上海交通大学太阳能研究所、上海市太阳能学会理事长沈文忠教授主持。来自业内顶尖科研院所的专家和国内一线光伏制造企业技术领袖齐聚本次大会。

　　CSPV是我国硅材料及光伏发电领域最重要的学会会议之一。该会议每年举行一次，目前已成功举办了十届。会议主题包括晶硅材料制备技术、硅片加工和装备，高效晶硅电池和组件制造技术、薄膜太阳电池和新型电池技术、光伏辅料技术与应用、光伏发电系统与应用、太阳能光伏测试技术和产业标准等几大方面。

　　在这次会议上，阿特斯技术团队和大家分享了七项研究成果：《低成本产业化黑硅太阳电池技术》《硼掺杂硅片的LIR技术概况》、《低成本高功率多主栅设计及产业化》、《高功率双玻太阳能电池组件》、《双玻组件的设计和工艺介绍》、《储能技术与市场展望》《终端用户对背板新的技术要求创新》。这些方面的研究使得阿特斯在技术创新上走在行业前列，并将推动光伏行业蓬勃发展。

　　11月27日阿特斯研发总监王栩生博士在黑硅专场会议上重点和大家分享了《低成本产业化黑硅太阳电池技术》。

　　长期以来，多晶太阳电池表面反射率较高的难题一直得不到有效解决，制约了电池效率的进一步提升。纳米湿法黑硅技术(MetalCatalyzedChemicalEtching，MCCE)成功解决了这一难题，突破了多晶效率提升限制。阿特斯历经3年自主研发，攻克多道技术难关，研发出纳米绒面结构、低LID、抗PID的高效电池片，并在2014年底成功量产，开辟了黑硅技术产业化的新纪元，是世界首家实现纳米湿法黑硅技术产业化的制造企业。

　　常规多晶主要采用酸制绒，形成蠕虫状的坑洞；而单晶采用碱制绒，形成金字塔结构的绒面。相比单晶电池，常规多晶电池的表面反射率高3%~5%（绝对值）。降低表面反射率是提高多晶电池效率的关键。成本方面，单晶硅片受益于金刚线切割工艺的推广，成本大幅下降；而多晶硅片金刚线线切的推广受制于电池制绒工艺的匹配。具体讲，金刚线线切多晶硅片使用常规制绒工艺后，反射率更高并有明显的线痕等外观缺陷，严重降低电池效率。阿特斯开发的纳米湿法黑硅技术完美的解决了以上问题，既能提升电池效率又能降低电池成本，是多晶电池继续进步的必由之路。该技术既适用于砂浆切割硅片，也适用于金刚线切硅片，是降本增效的利器，将来势必成为多晶电池的标配技术。

　　11月28日技术团队的研发经理陈军在高效组件专场和大家分享《高功率双玻太阳能电池组件》。为大家讲述阿特斯30年质保双玻组件，如何获得约21.5%的发电量增益，并保证组件在30年后测得的功率是初始测试功率的80%以上。除此之外阿特的双玻组件具有高功率、低衰减、长寿命等优势，可用于大型地面电站、分布式电站，尤其适用于中国各大区域不同环境。不论是西北地区的强风沙、紫外环境，华南地区的高温高湿环境，还是华东沿海地区强盐雾环境，阿特斯双玻组件都会有最优异的表现。在长寿命组件的开发上，阿特斯走在了业界的最前列。