金刚线多晶无疑是多晶必要的路径之一。但过于光亮的硅晶圆片会让电池片外观产生线痕问题、也会因常规酸制绒得到的高反射率而降低转换效率，故须再多加一道表面蚀刻的制程处理，业界普遍称之为黑硅技术。其中包括干法蚀刻的离子反应法（ReactiveIonEtching，RIE）技术与湿法蚀刻的金属催化化学腐蚀法（MetalCatalyzedTexturing，MCT）。

 

　　除了能解决外观问题之外，从转换效率的角度探讨，多晶电池片因表面反射率高，故多晶效率的提升主要能以降低光反射率为主。黑硅技术能形成亚微米级的凹坑，提升入射光的捕捉，故在硅晶圆端降本、电池片端提效两方面都同时兼顾。

 

　　今年公司完成了行业首家干法金刚线黑硅的产品（EAGLEBLACK)推出（提升约5w）。与其他家的RIE技术相比，晶科的RIE工艺能提升亚微米开口，且倒金字塔绒面强、也利于陷光。另外，较黑的电池片也提升了弱光下的表现，同时增加了长、短波光的吸收，让电池片的效率提升更加显著。不论是在量产性、或是导入成本与提效的效果上，RIE都是目前最成熟、也最能获得效益的黑硅技术。PERC（Passivatedemitterrearcell）背面钝化技术能够大大改善太阳电池背表面的钝化效果，提升中长波光的光谱响应，从而有效提升电池的开路电压和短路电流。晶科的RIE结合PERC技术的产品无疑是目前市场上性价比最高的新技术选项之一。
 

 

　　除此之外，晶科对于低成本的湿法黑硅结合金刚线硅片产品已完成制程研发，开始进入认证阶段。

 

　　随着晶硅电池制造工艺越来越向更高效、更低成本、更规模化靠近，实验室效率数据已经开始显得不那么重要，不同厂商对于技术的客观定义也不同，对于晶科而言，能大量生产和兼顾成本优势的高效率产品，也在极大成大上决定了产品的市场价值。最重要的是能实现量产，而不是实验室样品。在未来的工艺大战中，这些特征指标才是技术的真正体现。我们的20%多晶电池已进入正式量产阶段，下一世代更高效率电池制程推进也符合预期。公司预计在未来3-5年时间内，实现60片多晶330瓦的量产，从而能将功率在现在基础上可提升22-30%。"